CY7C4121KV13, CY7C4141KV13: 144-Mbit QDR™-IV HP SRAM | Cypress Semiconductor
CY7C4121KV13, CY7C4141KV13: 144-Mbit QDR™-IV HP SRAM
최신 업데이트:
2017년 8월 15일
버전:
*Q
144-Mbit QDR™-IV HP SRAM
특징
- 144-Mbit density (8 M × 18, 4 M × 36)
- Total Random Transaction Rate of 1334 MT/s
- Maximum operating frequency of 667 MHz
- Read latency of 5.0 clock cycles and write latency of 3.0 clock cycles
- Two-word burst on all accesses
- Dual independent bidirectional data ports
- Single address port used to control both data ports
- Single data rate (SDR) control signaling
- 자세한 사항은 pdf를 참조하십시오
기능 설명
The QDR-IV HP (High-Performance) SRAM is a high-performance memory device that has been optimized to maximize the number of random transactions per second by the use of two independent bidirectional data ports.
번역 문서는 참고용으로만 제공하는 것입니다. 설계 과정에 참여할 경우에는 영어 버전 문서를 참고하는 것이 좋습니다.
관련 파일
| 파일 제목 | 언어 | Size | 최신 업데이트 |
|---|---|---|---|
 CY7C4121KV13, CY7C4141KV13 144-Mbit QDR-IV HP SRAM Datasheet.pdf |
영어 | 1.15 MB | 2017/08/14 |
|
CY7C4121KV13, CY7C4141KV13 144-Mbit QDR-IV HP SRAM Datasheet (Chinese).pdf |
중국어 | 1.12 MB | 2016/08/07 |
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CY7C4121KV13, CY7C4141KV13 144-Mbit QDR-IV HP SRAM Datasheet (Japanese).pdf |
일본어 | 955.81 KB | 2016/08/07 |